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廈門航拓電氣有限公司

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航拓電氣公告
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IC693PWR321
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IC693PWR321,IC693PWR321

IC693PWR321

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1) 低電

考慮到接觸件膜層在高接觸壓力下會發(fā)生機械擊穿或在高電壓、大電流下會發(fā)生電擊穿。對某些小體積的連接器設計的接觸壓力相當小,使用場合僅為mV或mA級,膜層電阻不易被擊穿,可能影響電信號的傳輸。故國軍標GJB1217-91電連接器試驗方法中規(guī)定了兩種試驗方法。即低電平接觸電阻試驗方法和接觸電阻試驗方法。其中低電平接觸電阻試驗目的是評定接觸件在加上不能改變物理的接觸表面或不改變可能存在的不導電氧化簿膜的電壓和電流條件下的接觸電阻特性。所加開路試驗電壓不超過20mV,而試驗電流應限制在100mA,在這一電平下的性能足以滿足以表現(xiàn)在低電平電激勵下的接觸界面的性能。而接觸電阻試驗目的是測量通過規(guī)定電流的一對插合接觸件兩端或接觸件與測量規(guī)之間的電阻,而此規(guī)定電流要比前者大得多,通常規(guī)定為1A。

2) 單孔分離力

為確保接觸件插合接觸可靠,保持穩(wěn)定的正壓力是關鍵。正壓力是接觸壓力的一種直接指標,明顯影響接觸電阻。但鑒于接觸件插合狀態(tài)的正壓力很難測量,故一般用測量插合狀態(tài)的接觸件由靜止變?yōu)檫\動的單孔分離力來表征插針與插孔正在接觸。通常電連接器技術條件規(guī)定的分離力要求是用實驗方法確定的,其理論值可用下式表達。

 

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